纳米电子器件制造
• 半导体芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻胶（分辨率≤10nm）用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构，实现芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶体管）。
• 二维材料器件：在石墨烯、二硫化钼等二维材料表面，通过电子束光刻胶定义纳米电极阵列，构建单原子层晶体管或传感器。
纳米光子学与超材料
• 光子晶体与波导：利用光刻胶制备亚波长周期结构（如光子晶体光纤、纳米级波导弯头），调控光的传播路径，用于集成光路或量子光学器件。
• 超材料设计：在金属/介质基底上刻蚀纳米级“鱼网状”“蝴蝶结”等图案（如太赫兹超材料），实现对电磁波的超常调控（吸收、偏振转换）。
半导体材料选吉田，欧盟认证，支持定制化解决方案！山西正性光刻胶感光胶
光刻胶（Photoresist）是一种对光敏感的高分子材料，主要用于光刻工艺中，通过光化学反应实现图案的转移，是半导体、集成电路（IC）、印刷电路板（PCB）、液晶显示（LCD）等制造领域的材料之一。
光刻胶特性与组成
• 光敏性：在特定波长（如紫外光、极紫外光EUV等）照射下，会发生化学结构变化（如交联或分解），从而改变在显影液中的溶解性。
• 主要成分：
◦ 树脂（成膜剂）：形成基础膜层，决定光刻胶的机械和化学性能。
◦ 光敏剂：吸收光能并引发化学反应（如光分解、光交联）。
◦ 溶剂：调节粘度，便于涂覆成膜。
◦ 添加剂：改善性能（如感光度、分辨率、对比度等）。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，各有特性与优势，适用于不同领域。
LCD 正性光刻胶 YK - 200：具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点，重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺，能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。
半导体正性光刻胶 YK - 300：具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g。主要用于半导体制造工艺，满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蚀的特性，适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中，比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。
吉田半导体突破光刻胶共性难题，提升行业生产效率，通过优化材料配方与工艺，吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题，助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题，吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%，密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术，在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤，使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本，推动行业生产效率提升。吉田技术自主化与技术领域突破！
国家战略支持
《国家集成电路产业投资基金三期规划》将光刻胶列为重点投资领域，计划投入超500亿元支持研发。工信部对通过验证的企业给予税收减免和设备采购补贴，单家企业比较高补贴可达研发投入的30%。
地方产业协同
济南设立宽禁带半导体产业专项基金，深圳国际半导体光刻胶产业展览会（2025年4月）吸引全球300余家企业参展，推动技术交流。
资本助力产能扩张
恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元，扩大KrF光刻胶产能并布局集成电路前驱体项目。彤程新材半导体光刻胶业务2024年上半年营收增长54.43%，ArF光刻胶开始形成销售。
吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。山西正性光刻胶感光胶
政策支持：500亿加码产业链。山西正性光刻胶感光胶
作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：
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YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
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